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HBM5,或?qū)⒃?029年到來
三星稱,降低堆疊的高度是采用混合鍵合的主因,內(nèi)存高度限制在775微米內(nèi),在這高度中須封裝17個芯片(即一個基底芯片和16個核心芯片),因此縮小芯片間的間隙,是內(nèi)存大廠必須克服的問題。
三星
芯片
HBM5
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
2025-06-13 14:24
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