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閃存,正式進(jìn)入232層時(shí)代
自閃存進(jìn)入了3D時(shí)代,圍繞在層數(shù)的競(jìng)爭(zhēng)正在愈演愈烈,甚至有專家預(yù)研,未來(lái)甚至可能會(huì)出現(xiàn)1000層的3D NAND Flash。
閃存
3D時(shí)代
NAND Flash
半導(dǎo)體行業(yè)觀察
2022-07-27 14:43
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